В этом году флагманские процессоры от Samsung и Qualcomm построены на 10нм архитектуре. При этом компания Samsung объявила, что следующее поколение процессоров будут построены на 8нм процессе с использованием технологии Low Power Plus, а в ее дальнейших планах на будущее сократить эту цифру до 4нм.
Недавно команда инженеров Samsung обнародовала план предстоящих разработок, согласно которому для 7нм процессоров Samsung будет использована технология Extreme Ultra Violet Lithography, позволяющая крепить микросхемы на силиконовой пластине. Для 6нм LPP-процесс от Samsung будет использовать новое решение Smart Scaling, которое позволит устройству выполнять задачи на сверхнизкой мощности, после чего южнокорейский бренд приступит к 5нм LPP-процессу. 
В момент перехода к 4нм LPP-процессу Samsung планирует полностью отказаться от архитектуры FinFET. На смену ей придет новая архитектура под названием Multi Bridge Channel FET от Samsung, позволяющая значительно расширить пределы производительности FinFET.
Разработка 4нм процесса является невероятно сложной и многоэтапной, и несомненно, потребует еще много времени прежде, чем поступит в массовое производство. Однако конечный результат обнадеживает, ведь мы сможем получить более быстрые устройства с меньшим энергопотреблением. А это именно то, к чему стремится большинство производителей процессоров.
